Meeting Results: Toshiba Mulai Kirimkan Sampel Uji MOSFET SiC Trench-Gate 1200V yang Akan Tingkatkan Efisiensi di Pusat Data AI Generasi Berikutnya
Toshiba Mulai Distribusikan Sampel Uji MOSFET SiC Trench-Gate 1200V untuk Pusat Data AI Generasi Berikutnya
Kawasaki, Jepang – (ANTARA/Business Wire)
Meeting Results - Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") hari ini mengumumkan dimulainya distribusi sampel uji "TW007D120E," yakni jenis MOSFET SiC trench-gate 1200V yang dirancang untuk sistem catu daya di pusat data AI generasi berikutnya. Produk ini juga siap digunakan dalam perangkat energi terbarukan, menjawab tantangan efisiensi yang semakin kompleks seiring pertumbuhan industri kecerdasan buatan. Dalam konteks perubahan teknologi yang cepat, Toshiba menghadirkan inovasi ini untuk memenuhi kebutuhan akan konversi daya yang lebih optimal.
Tantangan Energi dalam Pusat Data AI
Perkembangan pesat AI generatif telah meningkatkan beban konsumsi daya di pusat data secara signifikan. Penyebab utamanya adalah penggunaan server berdaya tinggi yang semakin meluas, serta adopsi arsitektur Arus Searah Tegangan Tinggi (HVDC) berkapasitas 800V yang menjadi trend baru. Hal ini menimbulkan kebutuhan akan sistem catu daya yang lebih efisien, terutama dalam mengurangi kehilangan energi dan panas yang dihasilkan. Dengan TW007D120E, Toshiba berupaya mengatasi masalah tersebut melalui teknologi terbaru yang mengoptimalkan kinerja daya.
Spesifikasi dan Keunggulan MOSFET SiC Trench-Gate
TW007D120E dikembangkan berdasarkan struktur trench-gate yang inovatif, hasil penelitian Toshiba pada bulan Mei 2026. Struktur ini memungkinkan pencapaian On-resistance rendah per area unit (R_DS(on) A), yang menjadi salah satu parameter terbaik di industri semikonduktor saat ini. Keunggulan ini secara langsung meminimalkan kehilangan konduksi selama pengoperasian, sekaligus mengurangi kerugian switching yang sering terjadi pada sistem tenaga listrik. Dengan demikian, perangkat ini berpotensi meningkatkan efisiensi secara signifikan.
Dibandingkan produk generasi sebelumnya dari Toshiba, seperti MOSFET SiC TW015Z120C, TW007D120E menawarkan penurunan R_DS(on) A hingga sekitar 58% dan peningkatan figure of merit (R_DS(on) × Q_gd) sebesar 52%. Figure of merit ini menggambarkan keseimbangan antara konduksi dan kerugian switching, dua faktor kritis dalam pengelolaan daya pusat data. Improvisasi ini memberikan solusi untuk memastikan operasi yang lebih hemat energi, sekaligus memperkuat daya tahan sistem dalam kondisi beban tinggi.
Desain Paket QDPAK dan Manfaat Termal
Paket QDPAK yang digunakan untuk TW007D120E dirancang khusus untuk mendukung pendinginan sisi atas, yang memungkinkan perangkat beroperasi dengan kepadatan daya lebih tinggi. Desain ini juga meningkatkan kinerja termal pada tahap konversi daya, hal yang sangat penting bagi pusat data AI yang memerlukan pendinginan stabil. Kombinasi antara struktur chip yang inovatif dan desain kemasan yang efisien menjadi keunggulan utama produk ini.
Kinerja termal yang baik memastikan proses konversi daya tetap optimal, bahkan dalam lingkungan yang memicu peningkatan suhu. Hal ini sangat relevan dengan kebutuhan industri untuk menerapkan sistem pengelolaan energi yang lebih ramping, tetapi tetap mampu menghasilkan daya yang stabil dan andal. Dengan QDPAK, Toshiba mampu menawarkan produk yang lebih kompak tanpa mengorbankan kapasitas daya, menjadi solusi ideal untuk ruang yang terbatas di pusat data modern.
Produksi Massal dan Aplikasi di Berbagai Industri
Toshiba berencana untuk memulai produksi massal TW007D120E selama tahun fiskal 2026, dengan rencana ekspansi ke sektor otomotif. Produk ini berpotensi menjadi bagian dari lini solusi semikonduktor yang lebih luas, membantu mewujudkan berbagai inovasi di bidang energi dan industri. Selain itu, MOSFET SiC trench-gate ini juga akan berkontribusi pada pengurangan emisi CO₂, mendukung visi masyarakat bebas karbon.
Dalam rangka mencapai tujuan tersebut, Toshiba terus mengembangkan teknologi SiC yang mampu mengoptimalkan efisiensi energi. Penerapan teknologi ini tidak hanya terbatas pada pusat data, tetapi juga mencakup sistem penyimpanan dan perangkat elektronik lainnya. Dengan memperluas lini produk, perusahaan berharap mendorong inovasi berkelanjutan di berbagai bidang.
Proyek JPNP21029 dan Kontribusi Teknologi
TW007D120E merupakan hasil dari proyek JPNP21029, yang didanai oleh New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). Proyek ini fokus pada pengembangan teknologi SiC yang lebih efisien, dengan hasil penelitian yang diterapkan langsung dalam produk. Dengan dukungan organisasi seperti NEDO, Toshiba mampu mempercepat proses inovasi dan penerapan teknologi di skala komersial.
Kinerja yang ditawarkan oleh TW007D120E bukan hanya berdampak pada pusat data, tetapi juga pada industri energi terbarukan yang semakin berkembang. Produk ini mengubah paradigma dalam sistem catu daya, menawarkan solusi yang lebih ringkas, cepat, dan ramah lingkungan. Dengan fokus pada efisiensi dan keberlanjutan, Toshiba menunjukkan komitmen untuk menjadi penggerak utama dalam transisi ke energi bersih.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah perusahaan global yang menawarkan solusi semikonduktor dan penyimpanan canggih. Dengan lebih dari 17.400 karyawan di berbagai negara, perusahaan ini menekankan pengalaman selama lebih dari setengah abad dalam menghadirkan teknologi yang mengubah dunia. Produk-produk yang dihasilkan, termasuk semikonduktor diskrit, LSI sistem, dan HDD, dirancang untuk memenuhi kebutuhan industri dan konsumen.
Dalam konteks keberlanjutan, Toshiba terus berinovasi untuk menciptakan nilai baru, sekaligus menjaga kemitraan yang erat dengan pelanggan. Perusahaan ini berkomitmen pada penerapan teknologi yang mampu meningkatkan kualitas hidup dan mengurangi dampak lingkungan. Dengan memadukan keahlian dalam bidang elektronik dan energi, Toshiba berupaya menjadi bagian dari masa depan yang lebih baik bagi semua lapisan masyarakat.
Dengan kemajuan yang terus berlangsung di bidang AI,